微间距LED大屏技术取得突破

        近日，HKC惠科在高端显示领域取得重大突破，成功完成全球首款硅基GaN单芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微间距LED大屏直显领域的应用的研发。该技术基于立琻半导体SiMiP芯片基础上的共同研发，提升了生产效率与显示效果。

       基于微间距LED大屏直显领域迅速发展, 伴随着像素间距的进一步微缩，缩小芯片在COB产品的需求急速提升。MiP方案成为微间距大屏直显技术发展的选择之一。

图片来源：惠科

        惠科与立琻半导体融合双方在芯片, 显示方案及产业链资源上的核心优势，成功推动SiMiP芯片技术的应用落地。此次研发的SiMiP技术通过单芯集成红绿蓝三基色像元，简化生产与修复工艺，该技术可大幅提高微间距LED显示模组生产的直通良率，显著降低生产成本，兼具高性能和成本的优势。

       据介绍，SiMiP采用单芯片集成方案，无需复杂的巨量转移和修复工艺，直通良率显著提高；通过创新技术路线，减少传统工艺中的复杂环节，同时避免使用有毒材料，更具环保优势；红绿蓝三基色像元在发光波长、工作电压及出光分布上具有高度一致性，从根本上解决了传统方案的色偏问题。

（来源：HKC惠科）